Справочник по мощным мосфетам

справочник по мощным мосфетам
Что же это такое MOSFET ? MOSFET – это сокращение от двух английских словосочетаний: Metal-Oxide-Semiconductor (металл – окисел – полупроводник) и Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Поэтому MOSFET – это не что иное, как обычный МОП-транзистор. 5000 пФ) до +15 В ±10%. Перевод прибора в закрытое состояние может осуществляться как подачей нулевого напряжения, так и отрицательного — не более –20 В (обычно в пределах –5. Отдавая должное безусловной перспективности этой технологии, необходимо отметить, что новые изделия силовой электроники, выпущенные в традиционных стандартных корпусах (как для поверхностного, так и для выводного монтажа), также будут востребованы рынком на протяжении длительного времени. Встроенный бутстрепный диод (точнее, бутстрепная схема) применен не только в драйвере L6385E, но и во всех остальных микросхемах этого семейства. Все микросхемы содержат логику защиты от одновременного открытия транзисторов верхнего и нижнего плеча и, соответственно, формирования паузы при изменении состояния выхода. Компаратор в L6393 независим от остальных элементов схемы и, в принципе, может быть использован в произвольных целях.


Там же внизу представлены осциллограммы работы диаграммы, полученные четырьмя виртуальными осциллографами. Из них видно, как система реагирует на скачок Step, меняющий нагрузку магнита. Всегда указывается при постоянной величине напряжения затвор-исток (например, VGS=10V). В даташите, как правило, указывается максимально возможный ток. RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) – сопротивление сток-исток открытого канала. Для n-канальных полевых транзисторов паразитный диод подключен анодом к истоку, а для p-канальных анодом — к стоку. Дело в том, что обычный электрический паяльник не имеет защиты от статического электричества и не «развязан» от электросети через трансформатор. На его медном жале всегда присутствуют электромагнитные «наводки» из электросети. Области полупроводника n+. Данные области сильно обогащены свободными электронами (поэтому «+»), что достигается введением примеси в полупроводник. К данным областям подключаются электроды истока и стока. Рис. 31. Диаграмма модели синхронного двигателя с постоянным магнитом Подробные осциллограммы скорости вращения ротора двигателя и электромагнитного вращающего момента представлены на рис. 32. Нетрудно заметить, что эффективность стабилизации скорости вращения ротора достаточно высокая.

Современные образцы обладают малым сопротивлением канала и прекрасно работают на высоких частотах. В результате поисков по улучшению характеристик мощных полевых транзисторов был изобретён гибридный электронный прибор – IGBT-транзистор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного. Рис. 2. Окно справки пакета расширения SimPowerSystems с данными макромодели мощного полевого транзистора Включенный прибор представлен идеальным ключом с сопротивлением Ron во включенном состоянии. Рис. 1. Упрощенные схемы управления MOSFET- и IGBT-транзисторами В первом случае (рис. 1а) управление двумя независимыми нагрузками осуществляется от единых управляющих сигналов. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов обеднённого и обогащённого типа существенно различаются. О различии MOSFET’ов обогащённого и обеднённого типа можно прочесть тут.

Похожие записи: